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Integrated Device Technology, Inc. et eSilicon Corporation ont annoncé aujourd’hui leur collaboration pour accélérer le développement de commutateurs RapidIO® nouvelle génération, afin de répondre à la demande croissante de performances des nouvelles architectures sans fil, embarquées ou destinées au calcul. Les deux sociétés travailleront ensemble pour étudier et développer des commutateurs RapidIO à 40 Gbits/s par port, basés sur les spécifications RapidIO 10xN.

Les commutateurs développés dans le cadre de ce programme permettront aux constructeurs de stations de base sans fil de nouvelle génération, de Cloud RAN , ou réseau d’accès radio), d’informatique mobile et de réseaux opérateur, de garder une longueur d’avance sur l’explosion de l’utilisation des données, qui accompagne la popularisation des appareils mobiles.

"De la conception à la réalisation et à la fabrication en grande série, ces efforts collaboratifs de recherche et développement vont permettre la commercialisation d’une nouvelle génération de produits RapidIO répondant aux besoins de capacité et de débit supérieurs des stations de base et autres plateformes opérateur, " affirme jack Harding, Président d’eSilicon. "L’expertise d’eSilicon en technologie 28 nanomètres, notamment avec le déploiement de SerDes rapides et de mémoires spécifiques, vient parfaitement compléter l’expertise d’IDT en conception RapidIO."

Les commutateurs RapidIO 10xN offriront une combinaison optimale de faible latence 100 ns, de haut-débit avec 40 Gbits par port, et d’évolutivité avec la possibilité de gérer plus de 4 milliards de noeuds au sein d’un même réseau. Les dispositifs développés conjointement seront destinés aux nouvelles générations de stations de base de type LTE-A, C-RAN, et 5G, mais trouveront également leur place dans de nouvelles architectures émergentes, combinant station de base et plateforme HPC (High Performance Computing, ou informatique hautes perfiormances).

Les commutateurs 20 Gbits par port d’IDT sont aujourd’hui de facto la norme d’interconnexion pour l’agglomération de DSP, de microprocesseurs ou d’ASIC au sein des stations de base 3G et 4G déployées dans le monde entier. Dans le cadre de cette collaboration, les deux sociétés vont s’appuyer sur l’offre actuelle de commutateurs et de ponts, et prévoient de lancer leurs premiers produits développés conjointement au second semestre 2015.

"Des progrès au niveau des interconnexions sont essentiels à la poursuite de l’évolution des infrastructures de communication, " affirme Gregory Waters, Président d’IDT. "Nos commutateurs RapidIO actuels sont présents dans la quasi-totalité des stations de base 4G du monde entier. Mais la prochaine génération de stations de base et de C-RAN est en route, et va demander encore plus de performances. Joindre nos efforts avec eSilicon va nous permettre d’accélérer les développements RapidIO, au bénéfice de nos clients et de toute l’industrie des communications."

"Cette collaboration entre IDT et eSilicon, qui va faire passer la technologie RapidIO à 40 Gbits/s, puis ultérieurement à 100 Gbits/s par port, constitue un pas en avant décisif pour l’écosystème RapidIO en pleine croissance," affirme Rick O’ Connor, Directeur Exécutif de RapidIO.org. "Il ne fait aucun doute que cette collaboration sera bien accueillie par les développeurs d’applications informatiques à performances critiques nécessitant davantage de bande passante et davantage de capacité, et qu’elle permettra d’accélérer le déploiement de la technologie RapidIO 10xN par les fabricants de processeurs, de DSP et de FPGA (circuits prédiffusés) partenaires au sein de l’écosystème RapidIO."

http://www.IDT.com

http://www.esilicon.com.