Industrie Mag - Le journal de l'industrie.

Innoscience Technology, entreprise fondée pour créer un écosystème énergétique mondial basé sur des solutions de puissance au nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Si) performantes et économiques, a annoncé aujourd’hui une gamme complète de HEMT GaN mode-E 650 V. Les transistors de puissance INN650D080BS présentent une résistance à l’état passant RDS(on) de 80 mÙ (60 mÙ typique) et sont conditionnés en boîtier DFN standard 8 x 8, ce qui autorise des applications de forte puissance, comme par exemple dans les architectures LLC totem pole ou les chargeurs de batterie rapides.

Yi Sun, Vice-Président Senior Développement Produits chez Innoscience, explique : « Nous sommes désormais capables de répondre aux besoins des applications de conversion de puissance à haute densité et à haut rendement. Comme tous nos autres HEMT 650 V, ces nouveaux dispositifs sont aux normes JEDEC pour la puce et le boîtier. Ils ont également passé avec succès les tests de fiabilité DHSOL (Dynamic High Temperature Operating Life, durée de vie opérationnelle à haute température) selon la norme JEP180, et les tests de durée de vie accélérée jusqu’à 1 000 V donnent une durée de vie calculée de 36 ans (0,01% de taux de défaillance à 520 V et 150°C). »

Grâce à la technologie innovante Innoscience de couche de renforcement de contrainte, les dispositifs InnoGaN se caractérisent par une faible RDS(ON) spécifique, ainsi qu’une très faible RDS(ON) dynamique et une excellente fiabilité. Les nouveaux dispositifs à RDS(on) 80 mÙ présentent également de très bonnes caractéristiques de tension drain-source transitoire (VDS, transitoire) et pulsée (VDS, pulsée) avec 800 V et 750 V respectivement. De plus, comme tous les produits 650 V, ces nouveaux dispositifs à RDS(on) 190 mÙ, 350 mÙ et 600 mÙ sont tous dotés d’un robuste circuit de protection contre les décharges électrostatiques (ESD) intégré à la puce, afin de faciliter l’assemblage de ces dispositifs en boîtiers et de faciliter leur manipulation. Dans le cas présent, cependant, le circuit ESD a été modifié pour permettre une plus grande excursion de la tension négative de grille jusqu’à -6 V.

Ces nouveaux transistors de puissance INN650D080BS à faible RDS(on) en boîtiers DFN 8 x 8 aux normes industrielles, viennent rejoindre les dispositifs à RDS(on) 140 mÙ,190 mÙ, 240 mÙ, 350 mÙ, 500 mÙ et 600 mÙ précédemment annoncées, constituant ainsi un portefeuille important de dispositifs disponibles, qui continue de s’étendre vers les valeurs de RDS(on) plus faibles.

https://www.innoscience.com/